7.3.3. Realios statinės charakteristikos

Aptarsime tranzistorių, įjungtų pagal bendrosios bazės ir bendrojo emiterio schemas, įėjimo ir išėjimo charakteristikas.

Įjungto pagal bendrosios bazės schemą tranzistoriaus realios įėjimo ir išėjimo charakteristikos

Pagal 7.9 pav a, tran­zistoriaus įėjimo srovė  priklauso ne tik nuo emiterio įtampos. Įėjimo srovė stiprėja, augant kolektoriaus įtampai . Didėjant , didėja kolektoriaus sandūros storis, mažėja efektinis bazės storis  (7.10 pav., a), ir didėja injektuotų į bazę šalutinių krūvininkų koncentracijos gra­dientas (7.10 pav., b). Kai dides­nis krūvininkų koncentracijos gradientas, teka stipresnė difuzinė srovė.

7.9 pav b, kreivės ne­žymiai skiriasi nuo teorinių išėjimo charakteristikų. Pagal 7.9 pav b, didėjant kolektoriaus įtampai, kolektoriaus srovė šiek tiek stiprėja. Taip yra todėl, kad, didėjant įtampai , plonėja bazė, silpnėja tranzistoriaus rekombinacinė srovė ir didėja emiterio srovės perdavimo koeficientas. Išaugus kolektoriaus įtampai, kolektoriaus srovė ima sparčiai stiprėti dėl kolektoriaus sandūros pramušimo.

7.11 pav atvaizduotos įėjimo ir išėjimo charakteristikos tranzistoriaus, įjungto pagal bendrojo emiterio schemą.

Įėjimo charakteristikos  panašios į tranzistoriaus, įjungto pagal bendrosios bazės schemą, įėjimo charakteristikas. Tačiau yra ir keletas reikšmingų skirtumų. Pirmiausia, tranzistoriaus, įjungto pagal bendrojo emiterio schemą, įėjimo srovė – tai bazės srovė. Ji esti gerokai silpnesnė už emiterio srovę. Antra, didėjant išėjimo įtampai , įėjimo srovė ne stiprėja, o silpnėja. Taip yra todėl, kad tuo atveju, kai , veikiant įėjimo įtampai, tranzistorius yra soties būsenoje, jo abi sandūros yra atviros (7.12 pav., a). Tada bazės srovė lygi emiterio ir kolektoriaus srovių sumai. Pakilus įtampai  ir viršijus įėjimo įtampą , kolektoriaus sandūroje pradeda veikti atgalinė įtampa (tai akivaizdu iš 7.12 paveikslo, b). Susidarius stiprinimo veikos sąlygoms, tranzistoriaus bazės srovė susilpnėja. Toliau augant išėjimo įtampai , bazės srovė nežymiai silpnėja tik todėl, kad plečiasi kolektoriaus sandūra, plonėja bazė ir silpnėja rekombinacinė srovė, kuri, kaip žinome, yra viena iš bazės srovės dedamųjų.

Įjungto pagal bendrojo emiterio schemą tranzistoriaus išėjimo charakteristikų  parametras yra įėjimo srovė . Stipresnę įėjimo srovę atitinka stipresnė išėjimo srovė.

;čia B – statinis bazės srovės perdavimo koeficientas (bendraemiterės tranzistoriaus grandinės nuolatinės srovės stiprinimo koeficientas),  – šiluminė kolektoriaus sandūros srovė, kai tranzistorius įjungtas pagal bendrojo emiterio schemą. Šie dydžiai išreiškiami formulėmis:

,.kai bazės grandinė nutraukta (7.12 pav., c), tai tekanti per tranzistorių srovė  yra daug stipresnė už šiluminę kolektoriaus srovę .

Tranzistoriaus statinės charakteristikos priklauso nuo temperatūros. Įėjimo charakteristikos  ir  kylant temperatūrai, didėja charakteristikų statumas. Taigi, kylant temperatūrai, tokio pat stiprio įėjimo srovė teka, veikiant silpnesnei įėjimo įtampai.

Temperatūros įtaką išėjimo charakteristikoms  lemia tai, kad, kylant temperatūrai, didėja kolektoriaus sandūros šiluminė srovė  ir didėja emiterio srovės perdavimo koeficientasA. Pakilus temperatūrai 10 ⁰C, silicio tranzistoriaus srovė  sustiprėja maždaug dvigubai.